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금속 산화막 웨이퍼(Oxide Wafer)
서비스 개요 Silicon Wafer 상부에 산화막(SiO₂)을 형성한 Oxide Wafer를 고객 요구 사양에 맞춰 공정·두께·균일도 기준으로 제공하는 웨이퍼 가공 서비스입니다.반도체 공정 평가, 공정 개발, 장비 Qualification 및 양산 테스트용으로 활용됩니다. 주요 사양구경: 6인치(150 mm) / 8인치(200 mm) / 12인치(300 mm)기판: Silicon Wafer / SiC-Wafer 산화막 종류: Thermal Oxide / CVD Oxide산화막 두께: 고객 요청 사양 (수 nm ~ 수 μm)두께 균일도: 고객 요구 기준 대응 표면 상태연마 상태: SSP / DSP (기판 기준)표면 품질: 반도체 공정용 표준 충족(Flatness / TTV / Warp 고객 요구 기준)파티클 관리: 공정 평가 및 장비 테스트 대응 수준 관리 적용 분야공정 평가용 Test Wafer장비 Qualification / Recipe SetupOxide Etch / Deposition 공정 검증MEMS / Sensor / R&D 공정 포장포장 형태: 카세트 또는 개별 포장수량: 고객 요청 기준 상기 서비스 사양은 고객 요구, 적용 공정 및 장비 조건에 따라 조정 가능
2026. 01. 09
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Sapphire-Wafer
주요 사양구경: 2인치 / 4인치 / 6인치두께: 표준 사양 또는 고객 요청 사양재질: Sapphire (Al₂O₃, 단결정)결정 구조: Hexagonal (Trigonal) Crystal결정 방향: C-plane (0001) / A-plane (11-20) / R-plane (1-102) / M-plane (10-10)오프컷 각도: 0° 표준 / 고객 요청 사양전도 타입: 절연체(Insulator) 연마 방식: 단면(SSP) 연마 / 양면(DSP) 연마표면 품질: 반도체 공정용 표준 충족(Flatness / TTV / Warp 고객 요구 기준) 포장포장 형태: 카세트 또는 개별 포장수량: 고객 요청 기준 상기 사양은 고객 요구 및 적용 공정에 따라 조정 가능
2026. 01. 09
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Glass-Wafer
주요 사양구경: 6인치(150 mm) / 8인치(200 mm) / 12인치(300 mm)두께: 표준 사양 또는 고객 요청 사양 (일반 범위: 100 ~ 700 μm)재질: Alkali-free Glass (Eagle XG®, HPFS™ 등 Application별 협의)결정 구조: Amorphous Glass (비결정질)연마 방식: 단면(SSP) 연마 / 양면(DSP) 연마 표면 품질: 반도체 공정용 표준 충족 (Flatness / TTV / Warp 고객 요구 기준)포장 형태: 카세트 또는 개별 포장수량: 고객 요청 기준 상기 사양은 고객 요구 및 적용 공정에 따라 조정 가능 (Corning, SCHOTT사 모두 적용 가능)
2026. 01. 09
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SiC-Wafer
주요 사양구경: 4인치 / 6인치 / 8인치 / Ingot 두께: 표준 사양 또는 고객 요청 사양결정 구조: 4H-SiC결정 방향: ⟨0001⟩ (오프축)오프축 각도: 4° 표준 / 고객 요청 사양전도 타입: N형 / 반절연(SI)도핑 원소: 질소(N) / 바나듐(V)저항률: 고객 지정 범위(Ω·cm) 표면 상태연마 방식: 단면(SSP) 연마 / 양면(DSP) 연마 / 에피 대응표면 품질: 전력 반도체 공정용 표준 충족 포장포장 형태: 카세트 또는 개별 포장수량: 고객 요청 기준라벨: LOT 번호 및 이력 추적 가능 상기 사양은 고객 요구에 따라 조정 가능
2026. 01. 08